国产128层QLC闪存将量产 关键技术进步

2021-09-30 22:37  [来源:未知]  [作者:admin]  [责编:admin]
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芯研所9月30日消息,3D闪存方面,国产技巧大年夜步追赶国际先辈程度,前不长久江存储首席运营官程卫华泄漏,长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗,128层QLC已经预备量产,TLC良率做到相当水准。

长江存储是国内独一大年夜范围量产了3D闪存的公司,2019岁首年代实现了32层3D NAND量产,其开创Xtacking技巧,顺利研发出64层3DNAND,并于2019年9月量产256Gb(32GB)TLC 3DNAND。


2020年4月份,长江存储宣布推出128层客栈的3D闪存。该公司称128层QLC 3D闪存(X2-6070)是业内首款128层QLC规格3D NAND,且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

此次同步登场的还有128层TLC闪存(X2-9060),单颗容量512Gb(64GB)。机能方面,长存泄漏,两款产品拥有1.6Gbps的I/O读写机能,3D QLC单颗容量高达1.33Tb,是上一代64层的5.33倍。

日前威望机构Tech Insights对长江存储的128层512Gb TLC闪存做了芯片级的拆解,证实了其存储密度达到了8.48GB/mm2,跨越了三星的6.91GB/mm2、美光的7.76GB/mm2、SK海力士的8.13GB/mm2,这也是一种阶段性的进展,欲望可以或许为我们带来机能更好的产品。

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